Изготовление столбиковых припойных выводов

Контактные площадки, на которые наносят шариковые выводы из припоя, получают, используя две операции фотолитографии. Сначала на пластину Si с контактами в виде алюминиевой металлизации осаждается пленка несмачиваемого припоем металла (Cr, Ti, Zr и др.), затем наносится фоторезистивная маска, в окна которой осаждается пленка смачиваемого припоем металла (Cu, Co, Ni и др.) с подслоем из комбинации смачиваемого и несмачиваемого припоем металлов. После удаления первой фоторезистивной маски формируется маска с окнами больших размеров из толстого негативного фоторезиста. В эти окна гальванически или напылением осаждается припой. После удаления второй фотомаски проводится травление несмачиваемой припоем металлизации, используя осажденный припой в качестве маски. Пластина Si затем нагревается до температуры плавления припоя, который за счет капиллярных сил приобретает форму шариков на смачиваемом припоем участке контактной площадки.

Для исключения подтравливания столбиковых выводов на полупроводниковых кристаллах разработан способ, по которому на кристаллы в составе пластины с открытыми контактными площадками наносят слой первого фоторезиста, устойчивого к травителю, применяемому для удаления барьерного слоя металлизации. После вскрытия окон в нем на пластину напыляется барьерная многослойная металлизация, содержащая слой Ti или Cr, слой Cu или Pd, а затем слой Au. Затем на пластину наносится слой второго фоторезиста, в котором над площадками вскрываются окна размером меньше окон в первом фоторезисте на удвоенную толщину барьерной металлизации. В этих окнах гальваническим способом наращивают золотые столбиковые выводы. После удаления второго фоторезиста последовательно снимаются металлизация вокруг выводов и слой первого фоторезиста.

Известен способ изготовления столбиковых выводов из припоя в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. На полупроводниковую пластину с контактными площадками осаждают несколько слоев металла, а затем – слой припоя через маску. После удаления маски часть слоев металла за пределами областей, покрытых припоем, стравливают в растворе, содержащем фосфорную и уксусную кислоты, перекись водорода и деионизованную воду, который не реагирует с припоем. Режимы травления: температура 70 °С, время – 1-10 мин. Столбики припоя, изготовленные на многослойном металлическом основании, состоящем из алюминия, сплава никель-ванадий и меди пригодны для монтажа методом перевернутого кристалла.

На полупроводниковых кристаллах контактные выступы можно получать без применения фотолитографии. В этом случае на всю полупроводниковую пластину со вскрытыми в защитном диэлектрическом слое на контактные Al площадки наносится барьерный слой Ti, Cr, Ni или нитридов Ti и Ta. Затем помещают пластину в вакуумную установку и проводят наращивание выступа из Au, In или припоев. Барьерный слой напыленного на поверхности пластины металла удаляется химическим способом. Скорость осаждения контактных столбиков около 105 мкм³/с, т. е. для получения 200 контактов с размерами 100×100×10 мкм требуется менее 4 минут.

Для монтажа кристаллов методом перевернутого кристалла разработана система металлизации, состоящая из слоя состава WSi_0,4N_0,2 со слоем никеля, смачивающим припоем. Столбиковые выводы формируют последовательным осаждением слоев золота и олова в соотношении 80:20 (мас., %) для образования припоя эвтектического состава толщиной 10 мкм. Расплавление припоя проводят в атмосфере формир-газа путем импульсного нагрева до температуры 330 °С со скоростью 4 °С/с.

Образующиеся на первоначальном этапе нагрева фазы AuSn и Au₅Sn характеризуются взаимной диффузией в твердом состоянии. Дальнейший нагрев приводит к их расплавлению с образованием однородного эвтектического расплава, который при охлаждении образует столбиковые выводы гомогенного состава.

Изготовление полупроводниковых кристаллов с шариковыми выводами, имеющими повышенную надежность при меньшей стоимости, осуществляется по следующей технологии: после формирования окон, вскрываемых в защитном полиимидном слое над контактными площадками из Al, пластина Si погружается в расплавленный припой, содержащий, например, Pb и Sn. Облуживание площадок производится с наложением ультразвуковых колебаний, которые способствует разрушению оксидных пленок Al. Таким образом получают шариковые выводы высотой до 30 мкм, на которые могут быть нанесены дополнительные выступы из сплава Pb-Sn высотой до 150 мкм. В припой при повторном лужении могут быть введены Ag или Cu, способствующие упрочнению выводов. По данной технологии разработана конструкция мощного полупроводникового прибора, сохраняющего постоянную прочность контактных соединений с корпусом после 1000 ч испытаний при температуре 125 °С.

Замена контактных выступов из сплава Pb-Sn на контакты из нескольких слоев Au позволила снизить стоимость ИС, повысить их надежность и обеспечить удовлетворительные параметры на частотах до 15 ГГц.

Для обеспечения защиты ППИ от электромагнитных полей, наводок и снижения их паразитных электропараметров разработана специальная конструкция столбиковых выводов. Выводы состоят из центрального выступа и соосно расположенного с ним ободка одинаковой высоты 15-30 мкм. При этом центральный выступ соединен с сигнальным проводником, проходящим в середине многослойной коммутационной структуры, а ободок – с верхним заземленным слоем металлизации. Выводы изготавливаются из индиевого припоя, гальванически осажденного на тонкопленочную металлизацию из слоя Nb, защищенного барьерным слоем Pd и покрытого дополнительно слоем Au. Поверхность кристаллов, используемых при изготовлении многокристальных модулей с рабочими частотами 250 МГц, защищается тонкопленочным диэлектриком SiО₂.

Формирование столбиковых выводов на контактных площадках коммутационных подложек может производиться с помощью легкорастворимой полимерной пленки-носителя. Пленку с выводами получают литьем из раствора на основе алифатического мономера акрилата или акрилового полимера, либо на основе стеариновых пластиков. В пленке пробиваются сквозные конические отверстия, которые заполняются припойной пастой или расплавленным припоем. После этого пленка совмещается с подложкой и происходит оплавление припоя. Эта операция может быть совмещена с монтажом компонентов. Затем пленка растворяется. Данный способ позволяет одновременно формировать с высокой точностью на подложках сотни и тысячи выводов.

Шариковые выводы на кристаллах ИС или на подложках формируют нанесением припойной пасты через маску-трафарет. Маска имеет трапециевидные отверстия, наклон стенок которых составляет угол <10°, а их площадь в нижней части равна или в 1,5-5 раз превышает площадь контактных площадок. Припойная паста готовится из порошка припоев Sn-Pb, Sn-Ag и др. с флюсом, состоящим из органической кислоты, высокомолекулярной добавки и растворителя. После нанесения маска удаляется, а припой оплавляется, образуя шариковые выводы, которые могут быть получены на обеих соединяемых поверхностях, при этом припои могут иметь различную температуру плавления.

Выводы полусферической формы высотой 20-25 мкм и диаметром 0,03 мм на кристаллах ИС получают также оплавлением припойной пасты. Для повышения прочности сцепления вывода с контактной площадкой кристалла на участке Si вытравливаются в плазме CF₄ или CF₆ с добавкой O₂ V‑образные выемки. Затем осаждается защитный слой SiО₂ и слой Al, а для обеспечения паяемости площадок наносят слой Cu с подслоем Ti.

Для получения паяных выступов на кристалле поверхность пластины кремния со структурами ИС защищается пленкой полиимида, в которой вскрываются окна небольшого диаметра над контактными площадками. На пленке равномерно по всей площади кристалла формируются контакты большего диаметра намазыванием пасты через трафарет из тонкой стальной сетки. Нанесенная металлизация на пластине сушится при температуре около 165 °С в течение 30 минут. Затем на контакты устанавливаются шарики из припоя, которые расплавляются нагревом пластины до температуры их плавления.

Разработан способ получения контактных столбиков на кристаллах ИС, на которых уже имеются алюминиевая металлизация и пассивирующий диэлектрик. Контактные столбики создают методом трафаретной печати, используя в качестве пасты эпоксидную смолу с серебряным наполнителем, которая после нагрева затвердевает. На поверхности кристалла создают опорный изолирующий слой толщиной равной высоте контактных столбиков. При сборке на плату методом перевернутого кристалла изолирующий слой заполняет промежуток между кристаллом и платой.

На рис. 7.1 приведена известная схема формирования припойных выводов на полупроводниковых кристаллах. По данной схеме на контактное основание высотой 3-5 мкм наносят двухслойное покрытие серебро – олово с суммарной толщиной 10, 20, 30, 40 мкм и проводили оплавление. В процессе сплавления припоя за счет капиллярных сил происходит изменение формы припойного вывода (уменьшается диаметр и увеличивается высота). Данный способ формирования припойных выводов не потерял актуальности и в настоящее время.

По результатам замеров, изучению поперечных шлифов и электронной микроскопии установлено, что при общей высоте вывода, меньшей или равной диаметру основания, диаметр вывода равен последнему. Для более высоких выводов их диаметр приблизительно равен высоте. Разброс значений высот в пределах одного кристалла составляет ±1 мкм, в пределах одной пластины ±2,5 мкм, от пластины к пластине ±4 мкм. Хорошая воспроизводимость высот и диаметров выводов гарантирует надежное контактирование и отсутствие замыканий между соседними выводами в процессе монтажа кристаллов.

Рис. 7.1. Схема формирования припойного вывода: 1 – твердое основание вывода; 2 – слой Ag; 3 – слой Sn; 4 – сплав Ag-Sn; 5 – защитная маска фоторезиста; 6 – технологический подслой; 7 – SiO₂; 8 – Al; 9 – Si; h₁ – суммарная толщина слоев компонентов припоя; h₂ – высота вывода после сплавления припоя. Æ₁ и Æ₂ – диаметры вывода после нанесения слоев припоя и после сплавления припоя

На рис. 7.2 приведена конструкция объемного столбикового вывода. Технологический процесс его изготовления включает следующие основные операции: нанесение поверх алюминиевой металлизации слоя защитного диэлектрика; вскрытие контактных окон меди с адгезионным и пассивирующим слоями; локальное гальваническое выращивание медного столбика при защите фоторезистом; гальваническое покрытие буферным слоем; снятие технологических слоев и горячее лужение завершающего процесса.

Применяется способ изготовления контактных выступов из припоя на кристалле, включающий последовательное нанесение на кристалл слоя диэлектрика и слоя позитивного фоторезиста, вскрытие контактных площадок, напыление пленок Cr/Cu/Au, нанесение второго слоя фоторезиста, химическое осаждение в окна в нем припойного сплава или Sn, удаление двух слоев фоторезиста с частью металлизации между ними и плавления припоя.

Известен способ, суть которого заключается в том, что к контактным площадкам подложки, повернутой этими площадками вниз, подводят разъемную литниковую систему, состоящую из заливочной пластинки и подводящей формы, в каждой из которых выполнены соосные отверстия, сужающиеся к поверхности разъема пластинки и формы и расположенные напротив контактных площадок, к которым обращена пластинка. Затем к пластинке, прижатой вплотную к подложке, подводят форму и подают в отверстия последней расплав припоя, который по отверстиям в пластинке подтекает к контактным площадкам; в этот период температура пластинки ниже температуры формы, но выше температуры ликвидуса припоя. После этого форму отводят от пластинки, и находящийся в отверстиях пластинки припой, смачивая контактные площадки, повисает на них, после чего отводят и пластинку. Таким образом, повисший на пластинках припой затвердевает в форме шариков или конусообразных столбиков.

Рис. 7.2. Конструкция столбикового вывода полупроводниковой микросхемы: 1 – алюминиевая металлизация; 2 – адгезионный подслои ванадия; 3 – пассивирующий слой ванадия; 4 – гальванический медный столбик; 5 – припой ПОС-61; 6 – гальванический припой олово-висмут; 7 – фоторезист; 8 – напыленный слой меди; 9 – пассивирующий окисел

Для создания контактных столбиков на кристалле ППИ его помещают на разогретый столик и выдерживают в течение некоторого времени. Затем, на контактную площадку опускают тонкую проволоку припоя и выдерживают в таком положении до тех пор, пока нижняя часть проволоки не расплавится с образованием шарика. После этого проволоку поднимают и переносят на следующую контактную площадку. Когда шарики припоя нанесены на все контактные площадки кристалла, столик охлаждают и припой застывает, образуя контактные столбики. Данный способ реализуется при температуре нагрева столика выше температуры плавления припоя, а диаметр проволоки несколько меньше размера контактной площадки. Данные операции проводят в защитной среде.

Недостатком данного способа является большая трудоемкость для изготовления контактных столбиков на кристаллах БИС и СБИС, имеющих десятки и сотни контактных площадок. Кроме того, данным способом невозможно получать контактные столбики одинаковых размеров, что отрицательно скажется на последующей операции присоединения выводов к контактным столбикам кристалла. Более того, данным способом нецелесообразно формировать контактные столбики на площадках кристаллов в составе пластины из-за длительности данной технологической операции.

Одной из последних разработок в области изготовления столбиков припойных выводов на полупроводниковых кристаллах ИС, БИС и СБИС является способ, который реализуется следующим образом.

На столике 1 размещают кристалл 2 с контактными площадками 3 (рис. 7.3). К кристаллу вплотную прижимают пластину 4, конические отверстия 5 в которой совмещают с контактными площадками 3. Затем отрезки проволоки припоя 6, каждый размером равный объему контактного столбика, размещают в конических отверстиях 5 пластины 4 на контактных площадках 3 кристалла 2. Затем осуществляют нагрев столика 1 до температуры расплавления припоя 6. После этого столик охлаждают и припой при кристаллизации образует контактные столбики 7 заданной формы (рис. 7.3, б).

Использование отрезков проволоки из припоя с размерами, равными объему контактного столбика, позволяет формировать контактные столбики одинаковой формы.

Конические отверстия в пластине с углом конуса в отверстии α, равным краевому углу смачивания припоем металла контактной площадки θ, способствуют центровке контактного столбика относительно контактной площадки, а также свободному отделению пластины 4 от кристалла с напаянными контактными столбиками 7 после охлаждения.

В случае, когда конические отверстия в пластине имеют угол конуса α меньше краевого угла смачивания припоем металла контактной площадки θ, расплавленный припой за счет капиллярного течения полностью заполнит нижнюю часть отверстия, что может привести к разрушению контактных столбиков при отделении пластины от кристалла после его охлаждения.

а) б)

Рис. 7.3. Схема формирования столбиковых выводов: а – расположение отрезка проволоки припоя до расплавления; б – форма припойного столбика после расплавления: 1 – столик; 2 – полупроводниковый кристалл; 3 – контактная площадка кристалла; 4 – пластина; 5 – конические отверстия в пластине; 6 – проволока из припоя; 7 – припойных столбик

Если конические отверстия в пластине имеют угол конуса α больше краевого угла смачивания припоем металла контактной площадки θ, то припой при расплавлении может свободно растекаться по металлу контактной площадки, в результате чего контактные столбики при кристаллизации припоя будут иметь некоторое смещение относительно центра контактной площадки.

Таким образом, использование предлагаемого способа изготовления контактных столбиков на полупроводниковом кристалле обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества: снижает трудоемкость изготовления контактных столбиков на полупроводниковом кристалле; позволяет получать контактные столбики одинаковой формы и объема.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: