Основные параметры транзистора

1. Коэффициент усиления по току.

Обычно используется коэффициент усиления h_21Э в схеме с общим эмиттером:

h_21Э=Iк/Iб>>1,

где Iб - ток базы; Iк - ток коллектора.

2. Напряжение коллектор-эмиттер максимальное - Uкэ max.

3. Ток коллектора максимальный - Iк max.

4. Частотные свойства транзистора.

Различают: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (СВЧ). Есть также импульсные или переключательные транзисторы.

Обозначения транзисторов:

КТ ХХХ А, Б..., где ХХХ – цифры; буквы А,Б…характеризуют особенности электрических параметров. Например, КТ 908А - кремниевый высокочастотный транзистор большой мощности; КТ 315Б – кремниевый высокочастотный малой мощности ГТ 108 А – низкочастотный германиевый транзистор малой мощности. Чем больше значения цифр, тем выше частотные свойства и мощность транзистора.

Существует несколько режимов работы транзистора, которые можно указать на характеристиках транзистора в виде зон (см рисунки).

I

Рисунок 2 – Выходные характеристики транзистора Рисунок 3 – Входные характеристики транзистора

1 зона (ключевой режим) – область отсечки соответствует закрытому состоянию транзистора. Закрытое состояние транзистора достигается смещением эмиттерного и/или коллекторного переходов в обратном направлении (оба перехода закрыты), Iк мал.

II зона – линейный или усилительный режим; с увеличением Iδ увеличивается Iк, рабочая точка Р перемещается от 1 к 2 (эмиттерный переход открыт, коллекторный переход закрыт).

III зона (ключевой режим) – транзистор работает в режиме насыщения (Iб = Iб _насыщ), а дальнейшее его увеличение не приводит к росту коллекторного тока, который достигает тока насыщения (Iк насыщения). Для количественной оценки глубины насыщения используют коэффициент насыщения Кнас.=Iδ/Iδнас.

IV зона – при превышении напряжения U_{кэ проб}. Процесс размножения носителей заряда в коллекторном переходе носит лавинообразный характер. (Это специальный режим)

МОП-транзисторы: особенности конструкции, принцип действия, основные параметры и характеристики

Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы, работа которых основана на протекании тока под действием продольного электрического поля.

Управление величиной тока в полевых транзисторах осуществляется путем изменения электропроводности токопроводящей части полупроводника поперечным электрическим полем. Это поле создается напряжением, приложенным к управляющему электроду. Выводы полевого транзистора называются исток (И), сток (С) и управляющий вывод – затвор (З).

Более широкое применение, чем просто полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом находят транзисторы с изолированным затвором, имеющие лучшие электрические свойства. Они делятся на МОП -транзисторы со встроенным каналом и с индуцированным каналом. У этих транзисторов между полупроводниковым каналом и металлическим затвором расположен изолирующий слой из диэлектрика. Такая структура: металл – диэлектрик – полупроводник предопределила название МДП – транзисторы. Так как в качестве диэлектрика обычно используют двуокись кремния SiO₂, то такие транзисторы называют МОП – транзисторы (металл - окись – полупроводник). Наличие диэлектрика между затворами и встроенными или индуцированным каналом в МОП – транзисторах снимает ограничение на полярность напряжения смещения на затворе З, что характерно для полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

У МОП-транзисторов со встроенным каналом существуют два режима: обогащения, (на затвор подается напряжение противоположное напряжению истока, при этом проводимость канала увеличивается, и ток стока растет), и обеднения(ток истока и затвора одинаковые, проводимость канала падает и выходной ток уменьшается до нуля). Результат работы представлен на рисунках.

Рисунок 1 - Условное обозначение, конструкция и характеристики МОП-транзисторов

У МОП-транзиторов с индуцированным каналом, последний появляется только при подаче на затвор питания больше порогового с полярностью противоположной напряжению на истоке. При этом ток стока резко увеличивается (см. соответствующую характеристику управления).

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: