Из проведенных расчетов выбираем транзистор типа ГТ308А.

Заносим параметры транзистора ГТ308А в таблицу 2.

Таблица 2

Параметры транзистора	ГТ308А
Структура транзистора	p-n-p
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ ƒ_гр, МГц
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора P _{к max}, мВт
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: h_{21э min}
h_{21э max}
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер U_{кэ mах}, В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора I _{k max}, мA
Объемное сопротивление базы на высоких частотах r_б', Oм

Определяем рабочую область характеристики транзистора. Для этого на выходных характеристиках (рис.5) транзистора строим характеристику максимально допустимой мощности рассеяния. Полученные данные тока коллектора вносим в таблицу 3.

Iк =

Iк 1= 150мВт/2В= 75мА

Для построения этой характеристики задаем значения U_кэдля транзистора ГТ308А от 2 В до 10 В.

На оси напряжений (рис.5) отмечаем эти значения и восстанавливаем перпендикуляры до пересечения с соответствующим каждому значению U_кэтоку I_к. Затем полученные точки соединяем плавной линией, далее проводятся линии, соответствующие U_{кэ мах} и U_ост. Значение U_ост определяется графически, для этого опускается на ось напряжений перпендикуляр из точки перегиба верхней вольт – амперной характеристики (Рис.5).

Определяем напряжение покоя транзистора по максимально допустимому напряжению U_{кэ мах}:

U_ко ≤

U_ко =(12+1)/2=6,5В

Определяем мощность, отдаваемую транзистором с учетом заданного КПД трансформатора η_тр = 0,95:

Р'_~=

Р'_~= 23/0,95=24мВт

Определяем мощность рассеяния на коллекторе транзистора:

Р_ко = Р'_~/η_А*η_ос

Р_ко = 23/(0,4*0,9)=66,6мВт

где η_А– максимальный КПД каскада в режиме А, принимается равным 0,4;

η_ос – коэффициент, учитывающий потери мощности сигнала в цепи обратной связи, принимается равным 0,9;

Ток покоя рассчитываем, исходя из мощности рассеяния на коллекторе транзистора:

I_ко =

I_ко = 66,6/6,5=10,2мА

На семействе выходных характеристик транзистора (Рис. 5.) отмечаем выбранные U_ко, I_ко и определяем соответствующей точке покоя ток базы I_бо (входной ток). Полученное значение I_бо отмечаем на входной характеристике (Рис.6) и определяем соответствующее ему напряжение смещения U_бо.

U_ко= 6,5В

I_ко = 10,2мА

I_бо= 0,21мА

U_бо= 0,21мА

Определяем амплитуду напряжения выходного сигнала:

U_кm ≤ U_ко- U_ост

U_кm = 6,5-1=5,5В

Определяем амплитуду тока выходного сигнала:

I_кm =

I_кm = ( 2 * 24 ) / 5,5=8,7мА;

Строим нагрузочную прямую переменного тока. Для этого на семействе выходных характеристик (рис.5) транзистора от координаты точки покоя на оси токов вниз откладываем амплитуду тока I_км, а от координаты точки покоя вправо – амплитуда напряжения U_км. Пересечением уравнений I_ко – I_км и U_ко + U_км определяется точка М. Через точку М и точку покоя проводим нагрузочную прямую переменного тока.

I_{к min}=I_ко – I_кm

I_{к min} =10,2-8,7=1,5мА

U_кmax= U_ко + U_кm

U_кmax =6,5+5,5=12В

На семействе выходных характеристик транзистора (рис.5) отмечаем точку N на нагрузочной прямой переменного тока, соответствующая пересечению уровня U_ост и нагрузочной прямой.

Определяем соответствующий точкам M и N входной ток. Точке М будет соответствовать минимальный входной ток I_бmin, а точке N – I_{б max}максимальный.

I_бmin=0,032мА;

I_{б max}= 0,45мА

Определяем амплитуду тока входного сигнала:

I_бm =

I_бm = (0,45-0,032)/2=0,41мА

Определяем мощность, отдаваемую транзистором в выбранном режиме:

Р_~=

Р_~=(8,7*5,5)/2=24мВт;

Сравниваем полученные величины Р_~с Р'_~. Условие соблюдается:

Р_~≥ Р'_~

На входной характеристике транзистора (рис.6) отмечаем токи I_{б max}, I_бо, I_бmin, и определяем соответствующие этим токам значения входного напряжения.

U_{бэ мах}= 0.26В

U_{бэ min} =0.08В

Определяем амплитуду напряжения входного сигнала:

U_бm=