ГРУППА КОМАНД АРИФМЕТИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

Эта группа команд управляет выполнением арифметических операций над данными, размещенными в регистрах блока РОН и во внешней памяти. В результате выполнения команд этой группы формируется ряд признаков FLAGS. Операции вычитания выполняются с использованием дополнительного кода, и появление признака CY = 1 свидетельствует о возникновении сигнала заёма.

ADD r

(A) (A) + (r)

Содержимое регистра, адрес которого в блоке РОН задан полем SSS команды, сложить с содержимым аккумулятора, результат поместить в аккумулятор.

ADD M

(A) (A) + ((H) (L))

Содержимое аккумулятора сложить с содержимым ячейки памяти, адрес которой определен содержимым регистровой пары H-L.

ADI D

(A) (A) + (B 2)

Содержимое аккумулятора сложить с содержимым второго байта команды.

ADC r

(A) (A) + (r) + (CY)

Содержимое аккумулятора сложить с содержимым регистра r, адрес которого в блоке РОН задается полем SSS команды, и с содержимым разряда CY регистра признаков.

ADC M

(A) (A) + ((H) (L)) + (CY)

Содержимое аккумулятора сложить с содержимым ячейки памяти, адрес которой определен в регистровой паре H-L, и с содержимым разряда CY регистра признаков.

ACI D

(A) (A) + (B 2) + (CY)

Содержимое аккумулятора сложить с содержимым второго байта команды и с содержимым разряда CY регистра признаков.

SUB r

(A) (A) – (r)

Из содержимого аккумулятора вычесть содержимое регистра r, адрес которого в блоке РОН задается полем SSS команды.

SUB M

(A) (A) – ((H) (L))

Из содержимого аккумулятора вычесть содержимое ячейки памяти, адрес которой определен содержимым регистровой пары H-L.

SUI D

(A) (A) – (B 2)

Из содержимого аккумулятора вычесть содержимое второго байта команды.

SBB r

(A) (A) – (r) – (CY)

Из содержимого аккумулятора вычесть содержимое регистра r, адрес которого в блоке РОН задан полем SSS, и содержимое разряда CY регистра признаков.

SBB M

(A) (A) – ((H) (L)) – (CY)

Из содержимого аккумулятора вычесть содержимое ячейки памяти, адрес которой задан в регистровой паре H-L, и содержимое разряда СY регистра признаков.

SBI D

(A) (A) – (B 2) – (CY)

Из содержимого аккумулятора вычесть содержимое второго байта команды и содержимое разряда CY регистра признаков.

INR r

(r) (r) + 1

Содержимое регистра r, адрес которого в блоке РОН задан полем DDD команды, увеличить на 1.

INR M

((H) (L)) ((H) (L)) +1

Содержимое ячейки памяти, адресуемой содержимым регистровой пары H-L, увеличить на 1.

DCR r

(r) (r) – 1

Содержимое регистра r, адрес которого в блоке РОН задан полем DDD команды, уменьшить на 1.

DCR M

((H)(L)) ((H)(L))-1

Содержимое ячейки памяти, адресуемой содержимым регистровой пары H – L, уменьшить на 1.

Циклов: 3

Тактов: 10

Адресация: косвенная регистровая

Признаки: Z, S, P, AC.

INX rp

(rh)(rl) (rh)(rl)+1

Содержимое регистровой пары увеличить на 1.

Циклов: 1

Тактов: 5

Адресация: регистровая

Признаки: -

DCX rp

(rh)(rl) (rh)(rl)-1

Содержимое регистровой пары уменьшить на 1.

Циклов: 1

Тактов: 5

Адресация: регистровая

Признаки: -

DAD rp

(H)(L) (H)(L)+(rh)(rl)

Содержимое регистровой пары H – L, сложить с содержимым регистровой пары, задаваемой полем RP команды.

Циклов: 3

Тактов: 10

Адресация: регистровая

Признаки: CY.

DAA

Выполнить десятичную коррекцию содержимого аккумулятора.

Циклов: 1

Тактов: 4

Признаки: Z, S, P, CY, AC.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: