Если - разряжена , то хранится бит логического 0.

ЛЕКЦИЯ 11,12

Тема: Оперативная и постоянная память.

Знать:

Элементную базу и организацию ОЗУ и ПЗУ;

Виды ОЗУ и ПЗУ.

Уметь:

Выбирать ИМС ОЗУ и ПЗУ с нужными характеристиками.

Оперативное ЗУ.

Элементная база ОЗУ

полупроводниковые Ферритовые сердечники

элементы

Полупроводниковая память является энергозависимой.

Элемент памяти на ферритовом сердечнике.

+BR

H_c Н

-BR

Используется свойство магнитного материала сохранять остаточную

намагниченность

+ Br - лог 1

–Br - лог 0.

В элементе памяти имеются три обмотки: обмотка записи, обмотка считывание,обмотка адреса.

Чтобы записатьединицу суммарное токовое воздействие должно иметь положительную полярность и быть примерно равно H_с .

При записи логического «0» полярность тока должна измениться. Полупроводниковые ОЗУ.

Полупроводниковые ОЗУ строятся на базе разных элементов памяти:

- статических;

- динамических.

Элемент статической памяти.

+Е

R1 R2

VT1 VT2

э1 э1

Разрядная

шина Зп/Сч э3 э3

х_iАдресные

у_iшины

УзnО УСч0 Узn1 УСч1

Разрядные шины Зп/СчO и Зп/Cч1 служат для записи и считывания кода «0»и «1» соответствено

К каждой разрядной шине подключены усилители записи (УзпОиУЗп1) и усилители очитывание (УсчО и Усч1).

Адресные шины Хi и Уi служат для выборки информации из запоминающего элемента ОЗУ .

В режиме хранения информации на адресные шины Хi и Уi подается уровень логического «0» (U>=2,4B).

Состояние логического «0»: VT 1открыт, VT2 закрыт.

Состояние логической «1»: VT1 закрыта, VT2 открыта.

1) Режим хранения статического триггера.

На адресные шины – низкий уровень .

Если хранится лог .0,то VT1- открыт ,VT2-закрыт ,по цепи К-Э2, Э3 VT1 проходит ток, а в транзисторе VT2т. к .он закрыт, тока нет.

На Э1 VT1,VT2 должно быть состояние высокого импеданса (выходы УЗп и входы Усч). При этом на коллекторе VT1 низкий уровень, т. к. по цепи К-Э проходит ток, на базе VT2 тоже низкий уровень, т. е . сохраняется состояние логического 0.

Внимание! В режиме хранения элемент памяти потребляет ток , равный коллекторному току I_k открытого транзистора!

2) Режим записи.

На адресных шинах –высокие уровни , на входах Усч - высокий импеданс.

Запись «0».

А) Элемент памяти хранил лог. «0», т. е. VT1-открыт, VT2-закрыт.

На выходе УзпО -формируется низкий уровень

на выходе УЗп1- высокий уровень.

Транзистор VT1 также остается в открытом состоянии , а VT2- в закрытом.

Б) Элемент памяти хранил лог. 1.VT2-открыт,VT1-закрыт

На выходе УзпОдолжен быть сформирован низкий уровень, на выходе УЗ1 - высокий уровень.

Ток в цепи К-Э1 VT2 прекращается (т. к .на Э1-высокий уровень), потенциал коллектора VT2 повышается, VT1 открывается (по цепи К-Э1 проходит ток).

Режим считывания

На адресные шины подается высокий уровень,

на выходах УЗп- высокий импеданс,

на входных схемах Усч- низкие уровни.

Ток проходит по цепи К-Э открытого в данный момент времени транзистора.

Наличие тока на входе Усч0 или Усч1 фиксируется как считывание лог. 0 или лог.1

Далее из этого тока можно создать падение напряжения , т.е. уровень логического 0 или 1 ,которые передаются на последующие схемы.

Запоминающий элемент динамической памяти.

D Информационная шина У

УСч

VT₁ VT₃

Адресная шина Х

А VT₂

С_n

УСч - усилитель считывания.

VT1, VT2, VT3 - полевые ( МОП , МДП ) транзисторы.

Сп - паразитная емкость МОП – транзистора, хранящая 1 бит

информации.

В динамической памяти элементом хранения бита информации является паразитная емкость полевого транзистора.

Если она заряжена - хранится бит логической 1.

Если - разряжена , то хранится бит логического 0.

Адресная шина предназначена для выбора данного бита информации.

На нее подается уровень напряжения , открывающий VT1 и закрывающий VT3 - при записи бита информации и закрывающий VT1 и открывающий VT3 при считывании одного бита.

Информационная шина У - содержит бит информации (лог.1 или лог.0) при записи . При считывании : при наличии лог.1 по данной шине проходит ток , а при наличии лог.0 ток отсутствует.

В данном элементе возможны 3 режима работы:

- режим хранения;

- режим записи лог.0, лог.1;

- режим считывания.

Режим хранения.

При хранении лог.0:

- Сп - разряжена,

- VT1,VT2,VT3 - закрыты, ток в цепях схемы элемента памяти отсутствует.

При хранении лог.1:

- Сп - заряжена, но под воздействием определенных факторов (влажность, токопроводящие включения ) в течении некоторого времени разряжается. Чтобы избежать потери информации существуют дополнительные схемы , которые с заданной периодичностью подзаряжают данную емкость.Поэтому элемент памяти называют динамической.

Режим записи лог.0.

- на адресную шину подается уровень, открывающий VT1 и закрывающий VT2;

- на информационную шину - уровень лог. 0;

- при этом Сп, если он был заряжен , разряжается через цепь стока и истока открытого транзистора VT1.

Режим записи лог.1.

- адресную шину подается уровень, открывающий VT1 и закрывающий VT2;

- на информационную шину - уровень лог.1;

- Сп заряжается через цепь стока и истока VT1.

Режим считывания лог.0.

- на адресную шину подается уровень, закрывающий VT1 и открывающий VT2;

- VT3 - закрыт, так как на затворе VT3 - уровень лог.0;

- ток в цепи исток – сток VT3, VT2 ,информационная шина - отсутствует, следовательно считывается лог.0.

Режим считывания лог.1.

- на адресную шину подается уровень, закрывающий VT1 и открывающий VT2;

- VT3 - открыт, так как на затворе VT3 - уровень лог.1;

- ток проходит по цепи исток – сток VT3, VT2 ,информационная шина , следовательно считывается лог.1.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: