Uзи отс. (такое Uзи –при котором IС для данного Uси ноль)

2) Крутизна стоко-затворной характеристики:( Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1В)

3) Внутреннее сопротивление (или выходное) полевого транзистора:

приUзи=const

4) Входное сопротивление:

при Uси = const

Так как на затвор подаётся только запирающее напряжение, то ток затвора будет представлять собой обратный ток закрытого

P-n перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления Rвх будет очень велика и может достигать 109 Ом.

Полевые транзисторы с изолированным

Затвором.

Данные приборы имеют затвор в виде металлической плёнки, которая изолирована от полупроводника слоем диэлектрика, в виде которого применяется окись кремния. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называют МОП или МДП. Аббревиатура МОП расшифровывается как металл, окись, полупроводник. МДП расшифровывается как металл, диэлектрик, полупроводник. МОП – транзисторы могут быть двух видов:1)транзисторы со встроенным каналом;2)транзисторы с индуцированным каналом.

Транзистор со встроенным каналом.

Основой такого транзистора является кристалл кремния p или n типа проводимости,

Называемый подложкой с очень низкой концентрацией основных носителей. В подложке создают две области исток и сток с проводимостью противоположной проводимости подложки и высокой концентрацией основных носителей. Между истоком и стоком встраивают канал с такой же проводимостью, как в истоке и стоке и низкой концентрацией основных носителей.

Б- канал n типа ;в- канал р типа

Принцип действия.

Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов, т. е. будет существовать ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут притягиваться в канал. Канал обогатится носителями заряда, и ток стока увеличится. При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обедняется носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю. Вывод: МОП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов. Стоко-затворные характеристики показывают ic=f(uз-и) при uс-и=const. Uз-иотс- такое напряжение затвора, при котором Iс=0 для конкретного Uс-и.

Стоко-затворные характеристики.

Выходные характеристики показывают iс=f(uс-и) при uз-и=const.

Выходные характеристики

Транзисторы с индуцированным каналом.

А- канал р типа; б- канал n типа. Транзисторы с индуцированным каналом по конструкции такие- же как и с встроенным каналом, только отсутствует канал. При напряжениях на затворе, равных или меньше нуля, канал отсутствует, и ток стока будет равен нулю. При положительных напряжениях на затворе электроны, как не основные носители заряда подложки p-типа, будут притягиваться к затвору, а дырки будут уходить вглубь подложки. В результате в тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок, т. е. в этом слое полупроводник поменяет тип своей проводимости.

Образуется (индуцируется) канал, и в цепи стока потечёт ток. Вывод: МОП – транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения.

Стоко-затворные характеристики транзистора

С индуцированным каналом находятся только в одном знаке относительно начала координат в зависимости от знака носителей подложки.

Выходные характеристики транзистора с индуцированным каналом существуют только для знака затвора подтягивающего неосновные носители подложки для создания канала. МОП транзисторы отличаются от полевых отсутствием р-n перехода и увеличением тока стока при увеличении напряжения затвор-исток по абсолютной величине. МОП– транзисторы обладают бόльшим входным сопротивлением, чем транзисторы с управляемым переходом. R вх = (1013 ÷ 1015) Ом.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: