Установка параметров для FPM DRAM, EDO DRAM и Synchronous DRAM

· AUTO Configuration (автоматическая конфигурация) - имеет 3 значения

o 60 ns - устанавливает парамеры доступа для DRAM с быстродействием 60 ns

o 70 ns - то же для памяти с быстродействием 70 ns

o Disabled (запрещена) - позволяет установить любые возможные параметры доступа к DRAM памяти

· DRAM RAS# Precharge Time(время предварительного заряда по RAS) - Эта функция позволяет определить количество тактов системной шины для формирования сигнала RAS. Уменьшение этого значение увеличивает быстродействие, но чрезмерное для конкретной памяти уменьшение может привести к потере данных. Принимает значения:

o 3

o 4

· DRAM R/W Leadoff Timing (число тактов при подготовке выполнения операции чтения/записи) - определяет число тактов на шине до выполнения любых операций с DRAM. Параметр может принимать значения:

o 8/7 - восемь тактов для чтения и семь тактов для записи

o 7/5 - семь тактов для чтения и пять тактов для записи

· DRAM RAS to CAS Delay (задержка между RAS и CAS) - Во время доступа к памяти обращения к столбцам и строкам выполняются отдельно друг от друга. Этот параметр и определяет отстояние одного сигнала от другого. Параметр может принимать значения:

o 3 - три такта задержки

o 2 - два такта задержки
Уменьшение значения увеличивает быстродействие.

· DRAM Read Burst Timing (время пакетного чтения памяти) - Запрос на чтение и запись генерируется процессором в четыре раздельные фазы. В первой фазе инициируется обращение к конкретной области памяти, а в оставшихся происходит собственно чтение данных. Параметр может принимать значения:

o x2222 - два такта задержки

o x3333 - три такта задержки

o x4444 - четыре такта задержки
Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие.

· Speculative Leadoff(опережающая выдача сигнала чтения) - разрешение этого параметра позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован. Этот прием снижает общие затраты времени на операцию чтения. Другими словами, процессор будет инициировать сигнал чтения одновременно с генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал чтения воспринимается контроллером DRAM и, если параметр Speculative Leadoff разрешен, то контроллер выдаст сигнал чтения до завершения декодирования адреса. Может принимать значения:

o Enabled- разрешено

o Disabled - запрещено

· Turn-Around Insertion (задержка между циклами) - Если этот параметр разрешен (Enabled), то между двумя последовательными циклами обращения к памяти включается один дополнительный такт. Разрешение уменьшает быстродействие, но увеличивает достоверность при операциях чтения/записи. Может принимать значения:

o Enabled - разрешено

o Disabled - запрещено

· Data Integrity (PAR/ECC)(целостность данных) - разрешает/запрещает контроль памяти на ошибки. Вид контроля устанавливается параметром DRAM ECC/PARITY Select. Может принимать значения:

o Enabled - разрешено

o Disabled - запрещено

· DRAM ECC/PARITY Select (режим коррекции ошибок/проверка по четности) - Параметр появляется только в тех материнских платах, в которых chipset поддерживает ECC и только в том случае, если установлены модули памяти с истинной четностью. В некоторых вариантах BIOS этим параметром может устанавливаться только вид проверки, а разрешение на проверку устанавливается параметром Data Integrity (PAR/ECC). Такие планки часто называют также 36-разрядными. Может принимать значения:

o Parity - в случае возникновения ошибки на монитор выдается сообщение о сбое по четности в памяти и работа компьютера останавливается

o ECC -Error Control Correction- в случае возникновения одиночной ошибки она исправляется и работа продолжается. Если имеет место не одиночная ошибка, то работа компьютера также прекращается. Следует только учесть, что по данным Intel, скорость обмена с памятью при включении этого режима уменьшается приблизительно на 3%

· Fast RAS# to CAS# Delay (интервал между RAS и CAS) - При регенерации памяти строки и столбцы адресуются отдельно, поэтому этот параметр устанавливает интервал между сигналами RAS и CAS.

· SDRAM Configuration (Конфигурация SDRAM) - параметром определяется, должна ли программа BIOS сама определять временные характеристики доступа к памяти на основании информации из блока SPD или разрешить это сделать пользователю. Может принимать значения:

o By SPD - параметры доступа устанавливаются по SPD

o 7 ns (143 Mhz) - параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти с временем доступа 7 ns и частотой шины 143 MHz

o 8 ns (125 Mhz) - параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти с временем доступа 8 ns и частотой шины 125 MHz

o Disabled - устанавливаются пользователем

· SDRAM RAS Precharge Time(Cинхронная память - время предварительного заряда) - параметр позволяет определять быстрое или медленное накопление заряда по RAS до начала цикла регенерации памяти. Установка значения Fast увеличивает быстродействие, но Slow повышает стабильность работы компьютера, поэтому значение Fast следует устанавливать в случае уверенности в качестве памяти. Может принимать значения:

o Fast -быстро

o Slow - медленно

· SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS ) (Cинхронная память - задержка CAS/От RAS к CAS) - этот параметр позволяет комбинировать между длительностью сигнала CAS и задержкой между сигналами RAS и CAS. Значение этого параметра зависит от характеристик SDRAM, примененной в материнской плате и от быстродействия процессора. Поэтому изменять этот параметр стоит крайне осторожно. Может принимать значения:

o 2/2

o 3/3

· SDRAM CAS to RAS Delay (задержка между CAS и RAS) - параметр определяет значение задержки после выдачи сигнала RAS до появления сигнала CAS для синхронной памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее доступ к памяти. Тем не менее изменять его следует осторожно. Параметр может принимать значения:

o 3 - три такта задержки

o 2 - два такта задержки

· SDRAM CAS# Latency (задержка CAS для SDRAM) - Устанавливает значение задержки выдачи сигнала CAS для SDRAM. Меньшее значение увеличивает производительность системы. Рекомендуется устанавливать меньшее значение для SDRAM с быстродействием 10 nc или лучше.Может принимать значения:

o 2T

o 3T

· SDRAM Banks Close Policy(правила закрытия банков SDRAM памяти) - параметр был введен для плат с набором 440LX из-за того, что память с 2-х банковой организацией некорректно работает в этих платах, если параметры доступа к банкам памяти установлены по умолчанию. В наборе 430TX этого не требовалось, так правила доступа для различной памяти были одинаковы. Изменять установки BIOS по умолчанию для этого параметра следует только в случае нестабильной работы памяти. Может принимать значения:

o Page Miss- используется для двухбанковой памяти

o Arbitration- для памяти из 4-х банков

· DRAM Idle Timer (Таймер пассивного состояния памяти) - этим параметром устанавливается время (в тактах) до закрытия всех открытых страниц памяти. Влияет как на EDO так и на SDRAM память. Может принимать значения 0, 2, 4, 8, 10, 12, 16, 32.

· Snoop Ahead (Предвидение) - разрешение этогопараметра позволяет потоковый обмен данными между PCI и памятью. Может принимать значения:

o Enabled - разрешено

o Disabled - запрещено

· Host Bus Fast Data Ready(Быстрая готовность данных на шине) - разрешение этого параметра позволит снимать данные с шины одновременно с их выборкой. В противном случае данные будут удерживаться на шине один дополнительный такт. Может принимать значения:

o Enabled - разрешено

o Disabled - запрещено

· Refresh RAS# Assertion (задание RAS для регенерации) - Этим параметром устанавливается количество тактов (т.е. длительность RAS) для цикла регенерации. Принимаемые значения определяются качеством памяти и набором микросхем (chipset). Меньшее значение увеличивает производительность.

· MA Wait State(такты ожидания до чтения памяти) - параметр позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания до начала чтения памяти. Для памяти типа EDO один такт всегда есть по умолчанию и установка значения Slow добавляет еще один такт ожидания. Для SDRAM нет такта ожидания по умолчанию и установка Slow один такт вводит. Может принимать значения:

o Slow - добавляется один такт

o Fast - нет дополнительного такта ожидания

· SDRAM Speculative Read (SDRAM опережающее чтение) - разрешение этого параметра позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован. Этот прием снижает общие затраты времени на операцию чтения. Другими словами, процессор будет инициировать сигнал чтения одновременно с генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал чтения воспринимается контроллером DRAM и, если параметр SDRAM Speculative Read разрешен, то контроллер выдаст сигнал чтения до завершения декодирования адреса. Может принимать значения:

o Enabled - разрешено

o Disabled - запрещено

· Spread Spectrum Modulated(Спред модулированного спектра) - разрешение этого параметра позволяет уменьшить электромагнитное излучение от компьютера за счет уменьшения значения выбросов сигнала тактового генератора. Уменьшение может достигать 6%. Следует заметить, что это может отрицательно отразиться на работе чувствительных к форме сигнала устройств, например, жестких дисках с интерфейсом Fast Wide SCSI, поэтому параметр рекомендуется разрешать только при испытаниях компьютеров на электромагнитную совместимость. Может принимать значения:

o Enabled - разрешено

o Disabled - запрещено

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: