Сделай Сам Свою Работу на 5

Примеры экзаменационных билетов.





Оценка качества усвоения учебного материала

Рубежные контрольные мероприятия (РКМ)

Таблица 5.1

Виды и содержание рубежных контрольных мероприятий

№ п/п Вид РКМ Основные вопросы, выносимые на РКМ Примеры заданий
Защита лабораторной работы № 1 «Зонная очистка полупроводниковых материалов» Техника эксперимента. Определение геометрических размеров исходного слитка. Определение типа проводимости образца, удельного сопротивления. Подготовка слитка к процессу: обезжиривание, травление, промывание деонизированной водой и последующая сушка. Диаграмма состояния полупроводник-примесь. Конечное распределение примеси в слитке. Изменение распределения примеси по длине кристалла при увеличении числа проходов. Расчет и постройка зависимостей примесей с разным к. Сопоставление расчетных и экспериментальных зависимостей. Заключение о порядке к для примеси в очищаемом материале. Электрофизические измерения после зонной плавки.     Типовые вопросы 1.Объяснить схему образования области концентрационных переохлаждений. 2.Обоснуйте необходимость наклонять реактор. 3.Напишите уравнение для распределения примеси по длине кристалла после одного прохода зоны. 4.Напишите уравнение для конечного распределения примеси в кристалле. 5.Объяснить распределение примеси при движении расплавленной зоны по кристаллу.
Защита лабораторной работы №2 «Выращивание монокристаллов германия по методу Чохральского» Техника эксперимента. Подготовка материала к процессу: очистка, травление, промывание, сушка. Взвешивание на аналитических весах. Условия проведения процесса вытягивания. Тепловые условия в рабочей камере. Форма фронта кристаллизации. Дефекты структуры. Их источники. Дислокации, как основной вид дефектов. Примесные неоднородности в кристалле. Причины их возникновения. Исследование полученного кристалла: измерение диаметра и длины. Исследование поверхности с помощью микроскопа. Определение средней плотности дислокаций. 1.Перечислите достоинства метода Чохральского в сравнении с другими методами кристаллизации. 2.Перечислите виды примесных неоднородностей в монокристаллах полупроводников. 3.Объяснить какой форму должен иметь фронт кристаллизации для роста монокристалла 4.Объяснить из какого материала легче решить задачу получения бездислокационных кристаллов. 5.Пояснить методы борьбы с примесной неоднородностью.    
Защита лабораторной работы №3 «Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом жидкофазной эпитаксии» Технология процесса. Расчет массы навески. Подготовка исходного материала к процессу: обезжиривание, полирующее травление, промывание в деионизированной воде, сушка. Определение типа проводимости образца. Условия эпитаксиального роста. Метод жидкофазной эпитаксии. Преимущества ЖФЭ. Изотермические и неизотермические варианты ЖФЭ. Диаграммы состояния системы А-В при ЖФЭ. Выбор травителя и температурных пределов кристаллизации. Исследование полученной структуры: выявление дислокационных ямок. Расчет плотности дислокаций. Построение графика температурно-временного режима. Взаимосвязь полученных характеристик с условиями процесса. Расчет толщины эпитаксиального слоя.   1.Объясните при помощи диаграмм состояния реализацию ЖФЭ. 2.Перечислите наиболее важные условия эпитаксиального роста. 3.Объясните, что характеризует качество полученных эпитаксиальных слоев. 4.Напишите и обоснуйте формулу для расчета толщины слоев. 5.Объясните, как совершенство эпитаксиальных слоев зависит от качества подложечного материала. 6.Объясните, к чему приводит несоответствие периодов кристаллических решеток подложки и наращиваемого слоя.  
Защита лабораторной работы №4 «Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии» Техника процесса. Подготовка исходного материала к процессу: обезжиривание, полирующее травление, промывание в деионизированной воде, сушка. Группы методов ГФЭ. Основные параметры процесса. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Способы создания молекулярных пучков. Схема процесса ГФЭ с использованием ХТР. Примеры газотранспортных реакций. Лимитирующие стадии процесса. Структурные дефекты, дислокации. Исследование полученной структуры. Построение графика температурно-временного режима. Взаимосвязь полученных характеристик с условиями процесса. Общие соотношения термодинамики. Расчет толщины эпитаксиального слоя.   1.Перечислите основные параметры процесса ГФЭ. 2.Приведите примеры газотранспортных реакций. 3.Опишите схему процесса ГФЭ с использование ХТР. 4.Напишите формулу для роста слоев при ГФЭ. 5.Объясните схему пластической и упругой деформации эпитаксиального слоя 6.Объясните появления микрорельефа на поверхности эпитаксиальных слоев.

 








Экзамены

Вопросы, выносимые на экзамен:

Тема: «Полупроводниковый кремний»

1. Области применения, физико-химические свойства, важнейшие соединения.

2. Применение кремния: кремний для солнечной энергетики.

Тема: «Получение кремния»

1. Выращивание м/к кремния методом Чохральского: особенности поведения примесей в кремнии, типичные режимы процесса, схема установки.

2. Выращивание м/к кремния методом БЗП: устойчивость расплавленной зоны, эффективный коэффициент распределения примеси, типичные режимы процесса, схема реализации процесса.

3. ГФЭ: хлоридный и силановый методы, выбор параметров процесса.

4. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии кремния.

5. Трихлорсилановый и силановый методы получения кремния (получение технического кремния, получение, глубокая очистка, водородное восстановление ТХС, получение, очистка, термическое разложение моносилана).

6. Получение эпитаксиальных слоев кремния (ГФЭ: хлоридный и силановый методы, выбор параметров процесса. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии кремния).

Тема: «Контроль качества поликристаллического кремния»

1. Измерение удельного сопротивления по остаточным донорам, по бору.

2. Рентгеновская дифракция, метод термозонда, 2-х или 4-х зондовый метод, спад фотопроводимости, селективное травление, измерение коэффициента Холла, ИК-поглощение, высокотемпературное окисление с последующим селективным травлением.

Тема: «Легирование и совершенство структуры м/к кремния»

1. Основные проблемы при легировании.

2. Приемы повышения однородности состава: ограничение объема расплава в рабочем тигле, наложение внешних магнитных полей, нейтронное (трансмутационное) легирование.

3. Геттерирование: характеристики процесса, классификация способов, механизмы, ограничения метода.

Тема: «Получение м/к германия, AIIIBV»

1. Исходное сырье, концентрирование, хлорирование германия, первичная очистка (дистилляция), глубокая очистка (экстракция, ректификация), гидролиз тетрахлорида германия, водородное восстановление оксида германия.

2. Основные свойства соединений AIIIBV, методы синтеза (прямые, косвенные), современная структура потребления, требования по чистоте материалов, способы легирования, основные фоновые примеси, маркировка, получение эпитаксиальных слоев (хлоридный, хлоридно-гидридный, МОС-гидридный методы), твердые растворы AIIIBV.

 

Примеры экзаменационных билетов.

 

1.Выращивание м/к кремния методом Чохральского: особенности поведения примесей в кремнии, типичные режимы процесса, схема установки.

Геттерирование: характеристики процесса, классификация способов, механизмы, ограничения метода.

2. . Выращивание м/к кремния методом БЗП: устойчивость расплавленной зоны, эффективный коэффициент распределения примеси, типичные режимы процесса, схема реализации процесса.

Приемы повышения однородности состава: ограничение объема расплава в рабочем тигле, наложение внешних магнитных полей, нейтронное (трансмутационное) легирование.

3. Исходное сырье, концентрирование, хлорирование германия, первичная очистка (дистилляция), глубокая очистка (экстракция, ректификация), гидролиз тетрахлорида германия, водородное восстановление оксида германия.

Рентгеновская дифракция, метод термозонда, 2-х или 4-х зондовый метод, спад фотопроводимости, селективное травление, измерение коэффициента Холла, ИК-поглощение, высокотемпературное окисление с последующим селективным травлением.

4. Трихлорсилановый и силановый методы получения кремния (получение технического кремния, получение, глубокая очистка, водородное восстановление ТХС, получение, очистка, термическое разложение моносилана).

Измерение удельного сопротивления по остаточным донорам, по бору при контроле качества м/к кремния.

 

 

 








Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 stydopedia.ru Все материалы защищены законодательством РФ.