|
|
Стоковые (выходные) характеристики
UНАС При Стоко-затворные (передаточные) характеристики
IС ,mA
UСИ=-5В
UПОРОГ а) При этом канал не образуется, и ток канала б) Возникает p-канал, и ток канала растет с ростом напряжения на Затворе. МОП- транзисторы со встроенным каналом
Канал создается в таких транзисторах технологически – отличие от МОП-транзисторов с наведенным каналом.
Обозначение:
ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом
   UЗИ=+1В
   UЗИ=0
IС ,mA
UСИ=5В
обеднение обогащение
UОТС Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное. а) Пусть Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1). б) Пусть Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала в) Пусть Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения. Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения. Достоинства и недостатки полевых транзисторов Достоинства: · Высокое входное сопротивление ( · Бесконечно большое усиление по току
Малый уровень собственных шумов. (Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака). · Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима. · Хорошая развязка между входом и выходом ( · Малый разброс параметров. Недостатки: · Малый коэффициент усиления по напряжению (несколько единиц). Это связано с тем, что полевой транзистор в рабочем режиме (в режиме насыщения) имеет очень большое сопротивление, на котором теряется значительная часть полезного напряжения.
0 UСИ
· МОП-транзисторы боятся статического электричества.
Интегральные микросхемы (ИМС) логических элементов В основе цифровых схем лежат простейшие транзисторные ключи, характеризующиеся двумя устойчивыми состояниями (для биполярного транзистора – это режим насыщения и режим отсечки). Рассмотрим ВАХ транзистора ОЭ:
UКЭ НАС
· Если транзистор находится в режиме насыщения (полностью открыт), то его выходное напряжение равно Обычно принимают · Если транзистор находится в режиме отсечки (полностью закрыт), то его выходное напряжение равно Таким образом, имеем двоичную систему исчисления.
Существует три основных логических элемента: И (операция умножения), ИЛИ (операция сложения), НЕ (операция отрицания). Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)
Характерной особенностью ТТЛ является наличие на входе схемы многоэмиттерного транзистора (это транзистор, имеющий в одном корпусе одну базу, один коллектор и несколько эмиттеров). Схема осуществляет логическую операцию И-НЕ:
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 stydopedia.ru Все материалы защищены законодательством РФ.
|
при 
IС,mA
UЗИ=-6В
0 UСИ, В
происходит перекрытие канала, транзистор входит в режим насыщения – рабочий режим. Чем больше отрицательное напряжение на Затворе 
, тем выше концентрация дырок в канале и его проводимость, т.е. тем больше ток канала 
(тем выше идет характеристика).
при 
UЗИ, В 0
.
IС,mA обогащение
(поперечное поле отсутствует).
увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.
достигает 1014 Ом).
( 
).
коэффициент усиления по току 0
).
IС 
А
∆IС
∆UСИ
0
IК нагрузочная прямая
IБ4
ЕП/RК А IБ3
IБ2
насыщение А` IБ1
0 IБ=0 UКЭ
отсечка ЕП
UКЭ ОТС
- мало.
и считают это малое напряжение логическим нулем ( 
).
- велико, что соответствует логической единице ( 
).