Перечень рекомендуемых учебных изданий, дополнительной литературы
Основные источники:
- Синдеев Ю.Г. Электротехника с основами электроники, - Ростов н/Д.: Феникс, 2009.
- Прянишников В.А. Электроника,– СПб: Питер, 2009.
Дополнительные источники:
- Бобровников Л.З. Электроника, - СПб: Питер, 2009,2004.
- Гальперин М.В. Электронная техника, - М.:ФОРУМ: ИНФРА-М, 2007, 2003.
- Браммер Ю.А. Импульсные и цифровые устройства. – М:Высш.шк., 2003.
- Браммер Ю.А. Цифровые устройства. – М:Высш.шк., 2004.
- Берикашвили В.Ш. Импульсная техника. -М.: Академия, 2004.
- Сиренький И.В., Рябинин В.В., Голощапов С.Н., - СПб: Питер, 2006.
- Воителева Л.С. Методические рекомендации к выполнению практических работ по дисциплине «Электронная техника». – ЮУрГТК, 2013.
- Воителева Л.С. Рабочая тетрадь по дисциплине «Электронная техника».- ЮУрГТК, 2012.
- Бондарь И.М. Электротехника и электроника, – М.: МарТ, 2005.
- Жеребцов И.П. Основы электроники, - М.: Энергоатомиздат, 1994.
- Данилов И.А. Общая электротехника с основами электроники, - М.: Высшая школа, 1998
- ГОСТ 2.730-73 Приборы полупроводниковые.
- ГОСТ 15.133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
- ОСТ 11.366-77 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений
Интернет источники:
1. http://minsvyaz.ru
2. http://niits.ru
Нормативно-техническая литература:
1. Справочно-поисковая система ТЕХЭКСПЕРТ, раздел «Эксперт связь».
Контроль и оценка результатов освоения Дисциплины
Контроль и оценка результатов освоения дисциплины осуществляется преподавателем в процессе проведения практических занятий, тестирования, а также выполнения обучающимися индивидуальных заданий, обязательной контрольной работы.
Результаты обучения
(освоенные умения, усвоенные знания)
| Формы и методы контроля и оценки результатов обучения
| | Промежуточный контроль:
| Уметь:
|
Результаты выполнения
практических работ №№1,2,3,4
| - рассчитывать параметры электронных приборов и электронных схем по заданным условиям;
- составлять и диагностировать схемы электронных устройств;
- работать со справочной литературой;
| Знать:
|
Результаты тестирования
| - источники электрической энергии для питания различных устройств, используемых в организациях связи;
- электроснабжение и системы электропитания организаций связи.
|
| Итоговый контроль:
Экзамен
|
СОДЕРЖАНИЕ ПРОГРАММЫ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ТЕМАМ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ САМОСТОЯЛЬНОЙ РАБОТЫ
Введение.
Область применения электронной техники в технике связи.
История создания развития электронной техники. Роль российских и зарубежных ученых в создании электронных приборов и усилителей.
Пути совершенствования электронной техники.
Раздел 1 Электронные приборы.
Тема 1.1 Физические основы полупроводниковых приборов.
В данной теме с помощью учебной литературы и других источников информации следует изучить:
Основы квантовой теории строения атома в электронном и магнитном полях.
Работа выходов электронов.
Виды электронной эмиссии: термоэлектрическая, фотоэлектронная, электростатическая, вторичная. Возможности использования различных видов электронной эмиссии в электронной технике.
Методические указания.
Работа электронной техники основана на управлении движением потока заряженных частиц в вакууме, газе и полупроводниках. Изучение свойств частиц и их поведение в различных условиях является необходимым условием для понимания работы электровакуумных, газоразрядных и полупроводниковых приборов.
При изучении электронной теории необходимо ознакомится со следующими понятиями: валентные, свободные и возбужденные электроны; нейтральное и ионизированное состояние атома, энергетический уровень электрона. Следует обратить внимание, что энергия электронов в атоме может изменятся только скачкообразно. Энергетические уровни электронов объединяются в различные зоны. В зависимости от взаимного расположения валентной зоны и зоны проводимости твердые тела делятся на проводники, диэлектрики и полупроводники. Далее надо рассмотреть энергетические (зонные) диаграммы полупроводников, диэлектриков и полупроводников.
Управление движением электронов в электронных приборах осуществляется с помощью электрических и магнитных полей. Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем – основной процесс, происходящий в большинстве электронных приборов.
Вопросы для самопроверки.
1. Какие электроны называются валентными?
2. Что такое «ковалентная связь»?
3. Какая эмиссия называется термоэлектронной и где она применяется?
4. Какими способами можно управлять движением свободных электронов?
5. Дайте определение работы выхода электрона.
Электропроводность полупроводников.
В данной теме с помощью учебной литературы и других источников информации следует изучить:
Электропроводимость твердого тела. Энергетические уровни и зоны. Собственная электропроводимость полупроводников. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Основные типы полупроводников, применяемых в полупроводниковых приборах.
Введение донорной, акцепторной примеси в чистый полупроводник. Основные и неосновные носители заряда. Уровень Ферми в примесных полупроводниках.
Методические указания.
Приступая к изучению этой темы, следует выяснить, чем характеризуется электропроводность твердого тела с точки зрения зонной теории; разобраться в понятиях валентной зоны и зоны проводимости для проводников, взаимном расположении этих зон для проводников и полупроводников; наличии запрещенной зоны у полупроводников и ее влияние на электропроводимость.
Рассматривая собственные полупроводники, следует обратить внимание на то, что в силу собственной структуры полупроводников электропроводимость их обусловлена движением не только электронов, но и дырок; разобраться четко в понятии «дырка», сущности процессов генерации и рекомбинации.
Вопросы для самопроверки.
1. Расскажите о делении веществ на проводники, диэлектрики и полупроводники на основании зонной модели атома.
2. Каков способ получения и механизм электропроводимости полупроводника типа р?
3. Каков способ получения и механизм электропроводимости полупроводника типа n?
4. Как влияет температура на проводимость полупроводников?
Электронно-дырочный переход. Прямое и обратное включение p-n перехода. Эффект накопления. Емкость p-n перехода.
В данной теме с помощью учебной литературы и других источников информации следует изучить:
Диффузия носителей заряда на границе р и n-областей. Образование контактной разности потенциалов на границе р и n-областей - потенциального барьера. Запирающий слой. Влияние потенциального барьера не основные и неосновные носители заряда. Баланс потоков.
Прямое включение p-n перехода Инжекция носителей заряда. Эффективное время жизни. Диффузионная длина. Сопротивление и ток р-n перехода, находящегося под прямым смещением.
Обратное включение p-n перехода. Экстракция носителей заряда. Сопротивление и ток р-n перехода, находящегося под обратным смещением. Влияние обратного напряжения на высоту потенциального барьера и ширину запирающего слоя.
Вольтамперная характеристика р-n перехода. Электрический и тепловой пробой р-n перехода, находящегося под обратным смещением.
Методические указания.
Работа р-n перехода имеет первостепенное значение при изучении полупроводниковых приборов, так как большинство из них состоит из одного или нескольких р-n переходов.
Следует разобраться в том, что в состоянии равновесия переход характеризуется контактной разностью потенциалов UКН и запирающим слоем с высоким сопротивлением и определенной толщиной, а так же равенством диффузионного тока току дрейфа; уяснить, как они образуются и от чего зависит их величина.
Необходимо понять, как прямое включение р-n перехода изменяет существующую разность потенциалов на переходе, толщину запирающего слоя и его сопротивление, почему прямой ток определяется в основном диффузионным током. Ознакомится с понятием «инжекция», разобраться, какую из двух областей р-n, имеющих разную концентрацию примеси, принято называть эмиттером, а какую базой.
При обратном смещении, как и при прямом, происходит изменение высоты потенциального барьера, ширины запирающего слоя и его сопротивления; нужно разобраться в характере этих изменений, а также уяснить, почему обратный ток определяется величиной теплового тока (тока дрейфа), выяснить от чего зависит его величина. Нужно разобраться с понятием «экстракция». Следует уяснить, что p-n переход обладает свойством односторонней проводимости и поэтому может быть использован в качестве выпрямительного элемента.
Анализируя вольтамперную характеристику, необходимо разобраться в следующем:
1. Почему на прямой ветви вольтамперной характеристики р-n перехода наблюдается значительная нелинейность, а затем, когда напряжение достигает нескольких десятых долей вольта, характеристика становится почти линейной.
2. Почему на обратной ветви вольтамперной характеристики р-n перехода вначале ток быстро возрастает, затем наблюдается участок с относительным постоянством тока при изменении обратного напряжения и, наконец, при некотором обратном напряжении обратный ток резко увеличивается и наступает пробой р-n перехода? Пробой бывает электрический и тепловой. Разобраться в механизме того и другого.
Вопросы для самопроверки.
1. Расскажите о равновесном состоянии р-n перехода и об образовании потенциального барьера.
2. Что такое диффузионный ток и ток дрейфа р-n перехода? Объясните действие запирающего слоя.
3. Расскажите о прямом токе, сопротивлении и толщине запирающего слоя прямосмещенного р-n перехода.
4. Нарисуйте и объясните вольтамперную характеристику прямосмещенного р-n перехода.
5. Расскажите об обратном токе, сопротивлении и толщине запирающего слоя обратносмещенного р-n перехода.
6. Нарисуйте и объясните вольтамперную характеристику обратносмещенного р-n перехода.
7. Что такое пробой р-n перехода и какие существуют виды пробоя.
8. Укажите участки вольтамперной характеристики р-n перехода, соответствующие электрическому и тепловому пробоям.
Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту:
©2015 - 2024 stydopedia.ru Все материалы защищены законодательством РФ.
|