Сделай Сам Свою Работу на 5

Структурная блок-схема управления автомата микро литографии





 

 

Автомат состоит из двух независимых друг от друга треков. Основанием автомата служит каркас, внутри которого смонтированы треки, блоки и пульты управления, а так же вентиляционные и канализационные трубопроводы. Кроме того на общем каркасе расположены два блока клапанов для каждого трека. Центрифуга устройства подвешена на резинометаллическом амортизаторе. Через корпус проходит полый вал. На нижнем конце полого вала имеется шкив, с помощью которого вал получает вращения от электродвигателя. В нижней части вала смонтирован отстойник продуктов обработки. На верхнем конце вала установлен вакуумный патрон центрифуги, на котором помещается пластина удерживаемая вакуумом. Верхний амортизатор центрифуги соединён со стаканом к которому прижата опорная поверхность ловушки продуктов отработки. Подъем ловушки до упора в амортизатор осуществляется штоком пневмоцилиндра. В зону обработки под давление подается инертный газ. Ловушка соединяется верхней частью с крышкой и вентиляционным коллектором, что обеспечивает удаление продуктов обработки из помещения. В нижней крышке пневмоцилиндра вертикально перемещается управляющий шток с уплотняющими резиновыми кольцами (манжета), перекрывающий под действием пружины отверстие сообщающееся с атмосферой.



 

Структурная схема автомата нанесения фоторезиста

Техническая эксплуатация оборудования термообработки пластин

Установка ИК сушки 02СТ-170-005

Предназначена для сушки и задубливания фоторезиста в среде газообразного азота на п/п пластинах диметром 76, 100, 125 мм. Толщиной пластины от 0,35 до 0,8 мм.

02СТ-170-006 – предназначена для повторного задубливания фоторезиста на тех же пластинах перед травлением нитрида кремния с использованием сильных травителей.

02Ст-170-008 – предназначена для сушки водоэмульсионных шаблонов размером 76*76мм., 102*102мм., 127*127мм. толщиной 3мм.

02СТ-170-009 – предназначена для сушки и задубливания фоторезиста на металлизированных фотошаблонах размером 76*76мм., 102*102мм., 127*127мм. толщиной 3мм.э

 

 

Схема установки сушки 02СТ.

 

ЭМ576

Блок экспонирования

В качестве источника осветителя используется ртутно-кварцевая лампа (ДРШ-350) излучение которой рефлектором направляется на зеркало и далее в блок линзовых растров.



1 – лампа; 2 – рефлектор; 3,5-зеркало; 4 - линзовые растры; 6 – фотоприёмник; 7 – микроскоп; 8 – конденсор; 9- фотошаблон; 10- пластина.

 

Э

 

 

1 – Индуктор

2 – Магнит постоянный

3 – Канавки –

4 – Жиклёр

5 – Магнитомягкая сталь

6 – Плита из диобазы

 

 

Система совмещения.

Система совмещения установки выполнена на базе фотоэлектрического микроскопа (ФЭМ), контролирующего положение знаков совмещения п/п относительно оси проекционного объектива.

Источник света 12, который через конденсоры 13, зеркало 11, волокнооптические световоды 10, светофильтры 9 и зеркала 5 направляет два луча на линзы 4, а через них на маски 3,18.Маски выполнены на верхних торцах светоделительных кубиков 2 и 19 закреплённых на измерительном ф/ш 20. Объектив 24 проецирует изображение реперных знаков масок З и 18 на поверхности подложки 25, перемещающийся на индукторе 26 относительно статора ЛШД. Отразившиеся от подложки лучи, в обратном направлении образуют в фокальной плоскости объектива т.е. в плоскости масок 3 и 18 автоколлимационное изображение их реперных знаков. Формирующие это изображение лучи отклоняются полупрозрачными гранями кубиков 2 и 19 на линзы 16,17 установленных на кубиках. Эти линзы строят уменьшенное изображение зрачка объектива 24 в плоскости фотоприёмников 14 датчика совмещения 15. Спектральный диапазон излучения, выделяемый диэлектрическими зеркалами 11, светофильтрами 9 и материалом масок 3 и 18 составляет 0,52 - 0,59 мкм.



Реперные знаки масок 3 и 18 выполнены в виде набора нерегулярно расположенных щелей в маскирующем покрытии, их изображение на подложке выглядит в виде светящихся полос. Реперные знаки подложки 28 аналогичны по форме и размерам знакам масок.

Отличие их состоит в том, что они выполнены в виде полос, рассеивающих падающее от них излучение. Расстояние между штрихами реперных знаков на маске и подложке выбрано таким, что при любом их взаимном положении, кроме одного точного, одновременно совпадают не более одного штриха. При точном совмещении происходит полное совпадение всех штрихов на подложке и маске. Поскольку знаки на подложке рассеивают излучение, момент совмещения знаков соответствует минимуму светового потока, попадающему через объектив 24 в фотоприёмники 14. По сигналам фотоприемников координатная измерительная система производит отсчёт координаты знака на подложке. После точной ориентации подложки и отсчёта координат её реперных знаков измерительный ф/шаблон заменяется ПФО. Для этого каретка 22 с закреплённым на ней ПФО 21 и измерительным шаблоном 20 смещается на шариковых направляющих 23 вдоль оси У. Привод каретки включает электродвигатель 8, червячный редуктор 7 и тяги 6. Крайние положения каретки задаются упорами, для точной ориентации измерительного шаблона и ПФО используются знаки базирования 29, положение которых контролируется датчиками базирования 1 и 30.

 

 

1,30 – датчик базирования

2,19 – светоделительные кубики

3,18 – маски

4 –линзы

5,11- отражающие зеркала

6 – тяги

7 – червячный редуктор

8 – электродвигатель

9 – светофильтры

10 - световоды

12 –источник света

13 – конденсор

14 – фотоприемник

15 – датчик совмещения

16,17 – наклеенные линзы

20-измерительный шаблон

21 –промежуточный фотооригенал

22 – каретка

23- шариковые направляющие

24- объектив

25 – пластина

26 – индуктор ЛШД

27 –статор ЛШД

28 – реперные знаки

29 – площадки базирования.

 

Система автофокусировки.

Необходимость применения такой системы и требования к ней определяются оптическими свойствами объективов. Глубина резкости ∆Z высокоразрешающих проекционных объективов определяется длинной волны ультрафиолетового излучения λи числовой апертуройобъектива А: ∆Z= λ/2А2

Для типовых значений λ =0,436 и А=0,25 - 0,28 глубина резкости составляет ∆Z=2,8 - 3,5 мКм. Неплоскостность п/п, особенно прошедших высоко температурную обработку, значительно превышает эти значения. В связи с этим на каждом шаге мультипликации производится точное размещение экспонируемой зоны подложки в пределах глубины резкости объектива. В установке ЭМ-584 используется оптический датчик фокусировки.

 

Апертура(отверстие) лат. - действующее отверстие оптической системы, определяемое размерами линз или диафрагм.

Угловая апертура - угол α между крайними лучами конического светового пучка, входящего в

оптическую систему.

Числовая А равна n sin α/2, где n - показатель преломления среды, в которой находится предмет.

Освещённость изображения пропорциональна квадрату числовой Апертуры. Разрешающая способность прибора (min расстояние между 2-мя близлежащими точками, при котором они всё ещё видны отдельно) пропорциональна апертуре.

 








Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 stydopedia.ru Все материалы защищены законодательством РФ.