EEPROM (Электронное перепрограммируемое ПЗУ)

Организация микросхем ОЗУ.

А)

Cs- Это используется для выбора необходимой микросхемы, такой, что бы нужная нам микросхема реагировала на вызов, а остальные нет.

WE- Разрешение записи, указывает на то, что данные должны записываться, а не считываться.

OE- Устанавливается для выдачи выходных сигналов.

Б)

Представляет собой матрицу, размеров 2048 на 2048 однобитовых ячеек, что составляет 4 мб, что бы обратиться к микросхеме, сначала выбирают строку, для этого 11-ти разрядный номер этой строки подается на адресные выводы. За тем устанавливается сигнал RAS. После этого на адресные выводы подается номер столбца и устанавливается сигнал CAS.

Микросхема реагирует на сигнал, принимая или выдавая один бит данных.

В)

Для определения банка требуется 2 линии выбора банка. 13 линий выделено для сигналов RAS и 10 для сигналов CAS и 2 линии для банка, взятые вместе 25 сигналов обеспечивают возможность адресации 2^25 внутренних 16-разрядных ячеек.

Большие микросхемы памяти производятся в виде матриц размером M*N, обращения к которым происходит по строкам и столбцам.

Энергонезависимая память (постоянно запоминающее устройство- ПЗУ)

ROM-Read only Memory

ПЗУ применяется в случае, когда данные должны сохраняться, даже если питание отключено. Используются для программ тестирования и начальной загрузки. ПЗУ не позволяет изменять и стирать хранящуюся в них информацию. Данные записываются в процессе производства. Единственный способ изменить программу в ПЗУ- поменять всю микросхему. Простейшее устройство для ПЗУ строят на основе мультиплексора.

На 8 одноразрядных ячеек. Запоминание конкретного бита в одноразрядную ячейку производится запайкой провода к источнику питания (запись единицы) или запайкой провода к корпусу (запись 0). Микросхема выбирается сигналом CS, при помощи этого сигнала можно наращивать объем ПЗУ. Чтение микросхемы производится сигналом RD .

PROM (Programmable Rom)

Создано для того, что бы компании выпускающие аппаратуру могли сами, а не на заказ программировать микросхемы, такие микросхемы можно программировать в специальных устройствах- программатор. В этих ПЗУ постоянная соединение проводников запоминающей матрице заменяются плавкими перемычками. При производстве ПЗУ изготавливаются все перемычки, что эквивалентно во все ячейки памяти логических единиц. В процессе программирования на выводы питания и выходы микросхемы подается повышенное питание, при этом если на выход ПЗУ подается напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет, и перемычка останется не поврежденной. Если же на выход ПЗУ подать низкий уровень напряжения (присоединить к корпусу) то через перемычку запоминающей матрицы будет протекать ток, который испарит её и, при последующем считывании информации из этой ячейки, будет считываться логический 0.

EPROM(Erasable PROM)

EPROM можно программировать в условиях эксплуатации, а так же стирать с него информацию. Если кварцевое окно в данном ПЗУ подвергать воздействию сильного ультрафиолетового света в течение 15 минут. Все биты установятся в 1. Такое ПЗУ можно использовать многократно. EPROM строится на основе запоминающей матрицы, построенной на ячейках памяти. Каждая ячейка представляет собой МОП (Метал оксид, полупроводник) транзистор, в котором плавающий затвор выполняется из поликристаллического кремния. За тем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он будет окружен оксидом кремния- диэлектрик с изолирующими свойствами. В описанном устройстве при полностью стертом ПЗУ заряда в плавающем затворе нет и по этому транзистор ток не проводит. При программировании ПЗУ на второй затвор, находящийся над плавающим затвором подается напряжение и в плавающий затвор за счет туннельного эффекта индуцируется заряды. После снятия программирующего напряжения индуцированный заряд остается на плавающем затворе, и следовательно транзистор остается в проводящем состоянии. Заряд на плавающем затворе подобной ячейки может храниться 10-ки лет. Стирание информации осуществляется ультрафиолетовым излучением. Для того что бы его свет мог беспрепятственно проходить к полупроводниковому кристаллу в корпус микросхемы ПЗУ встраивается окошко из кварцевого стекла.

MOP

При облучении микросхемы EPROM изолирующие свойства оксида кремния теряются, накопленный заряд из плавающего затвора стекает в объем полупроводника и транзистор запоминающей ячейки переходит в закрытое состояние, время стирания колеблется в пределах 30 минут. Количество циклов записи- стирания от 100 до 10 раз, после чего микросхема выходит из строя, это связано с разрушающими воздействиями ультрафиолетового излучения на оксид кремния.

Конденсатор

EEPROM (Электронное перепрограммируемое ПЗУ)

Стирание ПЗУ производится не с помощью ультрафиолетовых лучей, а с помощью приложения к управляющему затвору напряжение противоположного знака, при этом электроны начинают стекать с плавающего затвора, тем самым разряжая его. EEPROM не конкурирует с динамическим и статическим ОЗУ, поскольку работают в 10 раз медленнее и стоят гораздо дороже.

Флешь память.

В отличии от EEPROM которая стирается по байтам, флешь память стирается и записывается блоками, что увеличивает скорость работы с ней.

Не нашли, что искали? Воспользуйтесь поиском по сайту: